[发明专利]电流传感器设备有效
| 申请号： | 201410469937.3 | 申请日： | 2014-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN104459273B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | G·贝尔;V·施特鲁茨;H·托伊斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于感测测量电流的电流传感器设备，包括具有磁场敏感元件的半导体芯片。电流传感器设备还包括在其中嵌入所述半导体芯片的包封物。被配置用于承载所述测量电流的导体与所述磁场敏感元件电绝缘。重分布结构包括第一金属层，所述第一金属层具有形成所述导体的一部分的第一构造部分。 | ||
| 搜索关键词： | 电流传感器 设备 | ||
【主权项】：
一种用于感测测量电流的电流传感器设备，包括：半导体芯片，包括磁场敏感元件；包封物，在其中嵌入所述半导体芯片；导体，被配置用于承载所述测量电流，所述导体与所述磁场敏感元件电绝缘；以及重分布结构，包括第一金属层、第二金属层以及在所述第一金属层和所述第二金属层之间延伸的聚合物层，所述第一金属层、所述聚合物层以及所述第二金属层各自在水平方向上延伸，所述第一金属层包括形成所述导体的一部分的第一构造部分，所述第二金属层包括通过所述聚合物层中的开口在垂直方向上被连接至所述第一金属层的所述第一构造部分并且形成所述导体的一部分的第一构造部分，其中所述第一金属层的所述第一构造部分和所述第二金属层的所述第一构造部分被定位在所述磁场敏感元件之下并且至少部分地与所述磁场敏感元件重叠。
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