[发明专利]多芯片封装体及其制造方法在审
| 申请号： | 201410471603.X | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN105097729A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 吴卓根;金锺薰;孙晧荣;李政桓 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多芯片封装体包括：保护层，其具有围绕第一芯片和第二芯片的上表面，第一芯片和第二芯片被安装在第一衬底上，以暴露出第一芯片的上表面和第二芯片的上表面；散热器，其被设置在所述上表面上；以及热界面材料，其被设置在散热器和所述上表面之间的界面处。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多芯片封装体，包括：第一芯片，其被安装在第一衬底的上表面之上；第二芯片，其被安装在所述第一衬底的所述上表面之上；保护层，其被设置成围绕所述第一芯片和所述第二芯片，所述保护层暴露出所述第一芯片的上表面和所述第二芯片的上表面；热界面材料，其被设置在所述第一芯片的所述上表面、所述第二芯片的所述上表面以及所述保护层的上表面之上；以及散热器，其被设置在所述热界面材料之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410471603.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于减小自加热效应的SOI高压结构
- 下一篇：重构的插入式半导体封装件
