[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供半导体器件及其制造方法，在该半导体器件中能够抑制在晶体管的栅极电极与源极/漏极区之一之间的短路发生。在半导体器件中，形成于栅极电极之上且含有氮化硅的第一绝缘层具有上表面，该上表面具有形成于在含有氮化物的栅极电极的第二电极层之上的区域内的凹陷部。

主权项

1.一种半导体器件，包括：具有主表面的半导体基板；形成于所述半导体基板的所述主表面之上的栅极电极；形成于所述栅极电极的侧壁之上的侧壁氧化物膜；形成于所述栅极电极之上且含有氮化硅的第一绝缘层，其中所述栅极电极包括含硅的第一电极层以及形成于所述第一电极层之上且含有硅化物的第二电极层，其中所述第一绝缘层具有上表面，所述上表面与所述主表面相对并且具有形成于所述第二电极层之上的区域内的凹陷部，其中所述侧壁氧化物膜覆盖所述栅极电极和所述第一绝缘层的侧壁，以及形成于所述栅极电极与所述第一绝缘层之间且含有二氧化硅的第二绝缘层，其中所述凹陷部被形成为延伸穿过所述第一绝缘层并且使所述第二绝缘层的一部分从所述第一绝缘层中露出。