[发明专利]超结器件制备工艺

摘要

本发明公开了一种超结器件制备工艺，通过刻蚀沟槽并填充形成超结，本发明中将沟槽的刻蚀分段进行，大大降低了刻蚀难度，沟槽的侧壁也更加垂直；本发明在进行填充的过程中，沟槽的深宽比很小，大大降低填充难度和缺陷的形成；同时本发明通过多次分段工艺，则可轻易保持所有位置的电荷平衡，提高击穿电压。同时分段还可以局部改变电荷量，为设计者提供更多优化器件特性的方法。

主权项

1.一种超结器件制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，于所述衬底顶部自下而上依次生长多层具有第一导电类型的外延层，且在形成每层外延层之后，紧接着刻蚀该层外延层以形成若干间隔开的沟槽，并在沟槽中填充具有第二导电类型的半导体层，其中，任意一层外延层中具有的多个沟槽与该外延层上下相邻的另一层外延层中的沟槽均一一对应并上下重合；进行退火处理以形成掺杂立柱；其中，当所述第一导电类型为P型导电类型，且所述第二导电类型为N型导电类型时，先在衬底上表面制备一层具有第二导电类型的缓冲层，之后再于该缓冲层之上依次生长多层具有第一导电类型的外延层；当所述第一导电类型为P型导电类型，且所述第二导电类型为N型导电类型时,当在所述缓冲层之上生长第一层外延层并进行刻蚀后，第一层外延层中的每个沟槽底部均位于所述缓冲层中。