[发明专利]一种从粗铟提纯出OLED用高纯铟的方法有效
| 申请号： | 201410478356.6 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104263957A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 赵科湘 | 申请（专利权）人： | 株洲科能新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C22B9/02 | 分类号： | C22B9/02;C22B58/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 412000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种从粗铟提纯出OLED用高纯铟的方法，该方法是在真空条件下，对粗铟依次在540～560℃，690～710℃，740～760℃，990～1010℃，进行4个温度区段的蒸馏：得到6N高纯铟；该制备方法操作简单、流程短，低成本，以粗铟为原料高效提纯出6N金属铟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提纯 oled 高纯 方法 | ||
【主权项】：
一种从粗铟提纯出OLED用高纯铟的方法，其特征在于，在真空度为3～10Pa的真空条件下，对粗铟依次进行4个温度区段的蒸馏：在540～560℃，蒸馏100～120min，在690～710℃，蒸馏40～60min，在740～760℃，蒸馏80～100min，在990～1010℃，蒸馏40～60min，得到6N高纯铟。
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