[发明专利]具有高可靠性的可合并半导体器件有效
| 申请号： | 201410484766.1 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN104518031B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张志宏;D·J·布劳姆伯格;杨洪宁;左江凯 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有高可靠性的可合并半导体器件，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底内、具有第一导电类型并且彼此横向隔开的源极和漏极区域以及位于所述半导体衬底内并且具有第二导电类型的复合体区域。所述复合体区域包括横向延伸跨过所述源极和漏极区域的第一阱区域和位于所述第一阱区域内的第二阱区域。所述漏极区域位于所述第二阱区域内，使得所述电荷载流子从所述第一阱区域流入所述第二阱区域以到达所述漏极区域。所述第二阱区域包括所述第一导电类型的掺杂物以具有比所述第一阱区域低的净掺杂物浓度水平。袋可以位于漏极延伸区域内并且被配置以沿着栅极结构的边缘建立耗尽区。 | ||
| 搜索关键词： | 阱区域 漏极区域 衬底 半导体 第一导电类型 半导体器件 高可靠性 掺杂物 复合体 源极 电荷载流子 边缘建立 导电类型 横向隔开 横向延伸 浓度水平 延伸区域 栅极结构 合并 耗尽区 漏极 跨过 配置 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：半导体衬底；源极区域和漏极区域，位于所述半导体衬底内，具有第一导电类型并且彼此横向隔开；以及复合体区域，位于所述半导体衬底内，具有第二导电类型并且沟道在操作期间被形成于其中以用于使电荷载流子从所述源极区域流向所述漏极区域，所述复合体区域包括横向延伸跨过所述源极区域和漏极区域的第一阱区域和位于所述第一阱区域内的第二阱区域；其中所述漏极区域位于所述第二阱区域内，使得所述电荷载流子从所述第一阱区域流入所述第二阱区域以到达所述漏极区域；以及其中所述第二阱区域包括具有所述第一导电类型的掺杂物以具有比所述第一阱区域的第二导电类型的掺杂物浓度水平更低的净掺杂物浓度水平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司，未经恩智浦美国有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410484766.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锯片
- 下一篇：允许监控用户设备上的媒体曝光的适配器设备
- 同类专利
- 专利分类
