[发明专利]非易失性存储器及其制作方法

摘要

本申请公开了一种非易失性存储器及其制作方法。该非易失性存储器包括：衬底；栅极结构，包括依次设置于衬底上的隧穿介质层、捕获电荷层、顶部介质层和栅极材料层；源极和漏极，设置于栅极结构的两侧的衬底中，且源极和漏极的导电类型与衬底的导电类型相反；掺杂半导体层，设置于漏极中并与捕获电荷层相连，且掺杂半导体层的导电类型与漏极的导电类型相反。本申请利用掺杂半导体层的能带宽度明显小于隧穿介质层的能带宽度的性质，从而在捕获电荷层和衬底之间形成隧穿通道以使电子能够通过隧穿通道发生隧穿，进而减少了非易失性存储器的工作电压，并进一步提高了非易失性存储器的读写速度。

主权项

1.一种非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器包括：衬底；栅极结构，包括依次设置于所述衬底上的隧穿介质层、捕获电荷层、顶部介质层和栅极材料层；源极和漏极，设置于所述栅极结构的两侧的所述衬底中，且所述源极和所述漏极的导电类型与所述衬底的导电类型相反；掺杂半导体层，设置于所述漏极中并与所述捕获电荷层相连，且所述掺杂半导体层的导电类型与所述漏极的导电类型相反。