[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

对于所谓的薄膜辅助成型(FAM)器件处理技术，本发明提供了半导体器件的引线框架，包括基座部分和连接引线。基座部分配置为设置半导体管芯。连接引线包括水平部分，用于外部连接；以及具有角度的部分，用于连接半导体管芯。其中具有角度的部分具有相对于基座部分的正角度。连接引线可包括收容部分。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：预备引线框架，所述引线框架包括：基座部分，所述基座部分包括设置为安装一个或多个半导体器件管芯的顶部表面；多个连接引线，每个连接引线包括用于外部连接的相对于所述基座部分的所述顶部表面水平地设置的部分，以及用于连接至所述一个或多个半导体器件管芯的具有角度的尖端部分，所述具有角度的尖端部分相对于所述基座部分的所述顶部表面具有正角度，其中，每个连接引线的厚度为使得所述具有角度的尖端部分在模制过程中可以被变形；通过薄膜辅助成型模制所述基座部分和所述多个连接引线，其中，所述具有角度的尖端部分在所述薄膜辅助成型过程中用于与第一薄膜封合，所述具有角度的尖端部分在所述薄膜辅助成型过程中变形，使得在所述薄膜辅助成型之后，所述具有角度的尖端部分相对于所述基座部分水平地布置；在所述薄膜辅助成型之后将所述一个或多个半导体器件管芯安装至所述基座部分的所述顶部表面；在所述薄膜辅助成型之后将安装的所述一个或多个半导体器件管芯打线焊至所述多个连接引线。