[发明专利]与CMOS工艺兼容的沟道隔离的原生器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410494175.2 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104282734B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种与CMOS工艺兼容的沟道隔离的原生器件，在p型硅衬底内部新增深n阱以实现沟道与衬底的隔离，同时在深n阱之上且在源漏注入区之下新增p型轻掺杂漏注入区以实现源漏注入区与深n阱的隔离。本申请沟道隔离的原生器件与沟道隔离的一般MOSFET相似，仍然以深n阱作为沟道和衬底之间的隔离，并将CMOS工艺中PMOS的p型输入输出区新增到沟道隔离的原生NMOS器件中，用来隔离源漏和深n阱，既实现器件0伏左右的阈值电压，又避免了源漏通过深n阱的短路现象。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 兼容 沟道 隔离 原生 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种与CMOS工艺兼容的沟道隔离的原生器件，其特征是，在p型硅衬底的内部隐埋有深n阱，在栅极两侧下方的p型硅衬底的表面具有n型源漏注入区，在源漏注入区的内侧具有n型轻掺杂漏注入区，在源漏注入区的下方具有p型轻掺杂漏注入区，p型轻掺杂漏注入区的底部接触深n阱的上表面；在p型硅衬底内部新增深n阱以实现沟道与衬底的隔离，同时在深n阱之上且在源漏注入区之下新增p型轻掺杂漏注入区以实现源漏注入区与深n阱的隔离。
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