[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410500106.8 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105514161B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述装置包括：位于衬底上的鳍片结构，所述鳍片结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区；横跨所述沟道区的栅极结构；其中，所述源区/漏区包括第一半导体材料区和在第一半导体材料区的上表面和侧面外延生长形成的第二半导体材料区，所述第二半导体材料区包围所述第一半导体材料区。本公开实施例中外延生长后的相邻的两个鳍片结构中的源区/漏区不合并。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料区 漏区 源区 鳍片结构 半导体装置 沟道区 半导体技术领域 外延生长 栅极结构 上表面 衬底 制造 横跨 包围 侧面 合并 生长 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：位于衬底上的多个鳍片结构，所述鳍片结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区；横跨所述沟道区的栅极结构；其中，所述源区/漏区包括第一半导体材料区，所述第一半导体材料区使得所述沟道区的部分侧面露出；所述源区/漏区还包括在第一半导体材料区的上表面和侧面、以及所述沟道区的所述部分侧面上外延生长形成的第二半导体材料区，所述第二半导体材料区包围所述第一半导体材料区；其中，相邻的两个鳍片结构中的源区/漏区不合并。
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