[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
申请号: | 201410504744.7 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN104517827B | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 小林信雄;滨田晃一;黑川祯明;古矢正明;森秀树;渡边康司;林义典 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 丁香兰,庞东成 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及基板处理方法和基板处理装置,提供在尽量不使用大型设备下就能够在蚀刻处理的同时更高效地再生出可返回至该蚀刻处理的磷酸的基板处理装置。基板处理装置利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板W进行处理,该基板处理装置的构成中具有蚀刻处理部(30),对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液而进行对上述基板的蚀刻处理,从而除去氮化膜;磷酸再生部(30),将对上述一片上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于该已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合,从而再生磷酸;和磷酸回收部(38、50、52),将通过上述磷酸再生部得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理部使用的蚀刻液中。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理方法,该方法是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法,其中,该方法具有:蚀刻处理步骤,对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液,进行对上述基板的蚀刻处理,从而除去氮化膜;磷酸再生步骤,将在上述蚀刻处理步骤中一片一片地对预定片数的上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合,从而再生磷酸,在此磷酸再生步骤中,使上述已用蚀刻液与上述氢氟酸溶液中的至少任意一者为雾状或蒸气状后将上述已用蚀刻液与上述氢氟酸溶液混合;和磷酸回收步骤,将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造