[发明专利]一种双栅SOI器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201410509909.X | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN104201193A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 胡志远;张正选;宁冰旭;毕大炜;彭超;邹世昌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双栅SOI器件结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底及形成于SOI衬底中并通过浅沟槽隔离结构隔离的MOS晶体管；所述MOS晶体管包括栅极、源极、漏极、栅极接触、源极接触及漏极接触；所述MOS晶体管还包括背栅极接触；所述背栅极接触设置于所述MOS晶体管正面，且穿通所述浅沟槽隔离结构及SOI衬底的埋氧层，与背衬底接触。本发明的双栅SOI器件结构在工作时，可以通过在背栅极接触端施加适当的电压，改变体区电势，从而改善浮体效应，并且该双栅SOI器件中存在两个控制沟道，增大了器件的有效沟道宽度及驱动电流。同时，背栅极接触形成于MOS管正面，制作工艺更为简单，且背栅极接触形成于浅沟槽隔离结构区域，不会对器件其它区域构成不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双栅SOI器件结构，包括SOI衬底及形成于所述SOI衬底中并通过浅沟槽隔离结构隔离的MOS晶体管；所述MOS晶体管包括栅极、源极、漏极、栅极接触、源极接触及漏极接触，其特征在于：所述MOS晶体管还包括背栅极接触；所述背栅极接触设置于所述MOS晶体管正面，且穿通所述浅沟槽隔离结构及SOI衬底的埋氧层，与SOI衬底的背衬底接触。
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