[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410513667.1 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105529254B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 吴磊;倪景华;潘周君;赵简 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括I/O器件区域，所述I/O器件区域包括第一有源区和第一隔离结构；对所述第一隔离结构进行刻蚀处理，减小所述第一隔离结构的厚度，从而使所述第一隔离结构上表面与所述第一有源区上表面的高度差减小；在所述第一有源区上形成I/O介质层。所述半导体器件的形成方法提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括I/O器件区域和核心器件区域，所述I/O器件区域包括第一有源区和第一隔离结构，所述核心器件区域包括第二有源区和第二隔离结构；对所述第一隔离结构进行刻蚀处理，减小所述第一隔离结构的厚度，从而使所述第一隔离结构上表面与所述第一有源区上表面的高度差减小；在所述第一有源区上形成I/O介质层，在所述第二有源区上形成界面层；所述刻蚀处理后剩余的所述第一隔离结构高出所述第一有源区上表面![]()
还包括：在所述I/O介质层和第一隔离结构上形成第一高k介质层，在所述界面层和第二隔离结构上形成第二高K介质层；在所述第一高k介质层上形成第一金属栅极，在所述第二高K介质层上形成第二金属栅极；对所述第一金属栅极和第二金属栅极进行平坦化；所述平坦化后，所述第一金属栅极的厚度为![]()
在所述平坦化后，形成第一接触插塞连接第一金属栅极位于第一隔离结构上方的部分，形成第二接触插塞连接第二金属栅极位于第二隔离结构上方的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
