[发明专利]一种大电流高压硅堆清洗工艺有效
申请号: | 201410519539.8 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104269350B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 黄丽凤;王志敏;张龙 | 申请(专利权)人: | 如皋市大昌电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B08B3/12 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种大电流高压硅堆清洗工艺,步骤为利用机械臂将高压硅堆放入HF溶液中浸泡,将经过HF溶液浸泡后的高压硅堆放入溢水中清洗;然后,利用机械臂将高压硅堆放入KOH溶液中进行清洗;将经过KOH溶液浸泡后的高压硅堆进行喷淋处理,喷淋的时间t2=300s±5s;将经过喷淋后的高压硅堆放入溢水中清洗;再将高压硅堆利用EDTA‑2Na超声清洗;将经过EDTA‑2Na超声清洗后的高压硅堆进行溢水清洗;将高压硅堆进行丙酮脱水处理;最后,利用热N2将高压硅堆吹干。本发明的优点在于利用本工艺对焊接后的大电流高压硅堆进行清沟,可以很好的去除附着在高压硅堆表面的焊油、水汽等杂质,相应的增加其耐久性及可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 电流 高压 清洗 工艺 | ||
【主权项】:
一种大电流高压硅堆清洗方法,其特征在于:步骤为:a)首先,利用机械臂将高压硅堆放入HF溶液中浸泡,浸泡的时间t1=84s±1s;b)将经过HF溶液浸泡后的高压硅堆放入溢水中清洗;c)然后,利用机械臂将高压硅堆放入KOH溶液中进行清洗;d)将经过KOH溶液浸泡后的高压硅堆进行喷淋处理,喷淋的时间t2=300s±5s;e)将经过喷淋后的高压硅堆放入溢水中清洗;f)再将高压硅堆利用EDTA‑2Na超声清洗,清洗的时间t3=84s±1s;g)将经过EDTA‑2Na超声清洗后的高压硅堆进行溢水清洗;h)将高压硅堆进行丙酮脱水处理;i)最后,利用热N2将高压硅堆吹干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造