[发明专利]一种大电流高压硅堆清洗工艺有效

专利信息
申请号: 201410519539.8 申请日: 2014-09-30
公开(公告)号: CN104269350B 公开(公告)日: 2017-01-25
发明(设计)人: 黄丽凤;王志敏;张龙 申请(专利权)人: 如皋市大昌电子有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;B08B3/12
代理公司: 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316 代理人: 滑春生
地址: 226500 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种大电流高压硅堆清洗工艺,步骤为利用机械臂将高压硅堆放入HF溶液中浸泡,将经过HF溶液浸泡后的高压硅堆放入溢水中清洗;然后,利用机械臂将高压硅堆放入KOH溶液中进行清洗;将经过KOH溶液浸泡后的高压硅堆进行喷淋处理,喷淋的时间t2=300s±5s;将经过喷淋后的高压硅堆放入溢水中清洗;再将高压硅堆利用EDTA‑2Na超声清洗;将经过EDTA‑2Na超声清洗后的高压硅堆进行溢水清洗;将高压硅堆进行丙酮脱水处理;最后,利用热N2将高压硅堆吹干。本发明的优点在于利用本工艺对焊接后的大电流高压硅堆进行清沟,可以很好的去除附着在高压硅堆表面的焊油、水汽等杂质,相应的增加其耐久性及可靠性。
搜索关键词: 一种 电流 高压 清洗 工艺
【主权项】:
一种大电流高压硅堆清洗方法,其特征在于:步骤为:a)首先,利用机械臂将高压硅堆放入HF溶液中浸泡,浸泡的时间t1=84s±1s;b)将经过HF溶液浸泡后的高压硅堆放入溢水中清洗;c)然后,利用机械臂将高压硅堆放入KOH溶液中进行清洗;d)将经过KOH溶液浸泡后的高压硅堆进行喷淋处理,喷淋的时间t2=300s±5s;e)将经过喷淋后的高压硅堆放入溢水中清洗;f)再将高压硅堆利用EDTA‑2Na超声清洗,清洗的时间t3=84s±1s;g)将经过EDTA‑2Na超声清洗后的高压硅堆进行溢水清洗;h)将高压硅堆进行丙酮脱水处理;i)最后,利用热N2将高压硅堆吹干。
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