[发明专利]NLDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种NLDMOS器件，在P型硅衬底上形成有N型深阱，N型深阱左部形成有一P阱，右部形成有左N阱、右N阱；左N阱同右N阱之间有N型深阱间隔区；本发明还公开了该NLDMOS器件的制造方法。本发明的NLDMOS器件，由CMOS工艺中的P阱构成沟道区，深型N阱包P阱实现P阱与衬底隔离，由CMOS工艺中的N阱构成N漂移区，保持N阱两边位置不变，将N阱分为两个独立的N阱，由于两个独立的N阱之间为掺杂浓度较低的N型深阱，从而漂移区掺杂浓度降低，使得击穿电压提高，而且其制造工艺条件可以与BCD平台的CMOS工艺共用，无需额外加版，节省了成本。

主权项

一种NLDMOS器件，其特征在于，在P型硅衬底上形成有N型深阱；N型深阱左部形成有一P阱，右部形成有左N阱、右N阱两个N阱，左N阱在右N阱左侧，左N阱同N型深阱之间无P阱；所述P阱同左N阱之间有N型深阱间隔区；所述左N阱同右N阱之间有N型深阱间隔区；所述P阱，中部形成有沟道区场氧；所述沟道区场氧左侧的P阱上形成有一重掺杂P型区，所述沟道区场氧右侧的P阱上形成有一重掺杂N型区；所述左N阱及其两侧的N型深阱上形成有漂移区场氧；所述右N阱上形成有一重掺杂N型区；P阱上的所述重掺杂N型区到所述漂移区场氧之间的硅片上形成有栅氧化层；多晶硅栅形成在所述栅氧化层上面及所述漂移区场氧左部上面，多晶硅栅同漂移区场氧之间无栅氧化层隔离；所述P阱上的重掺杂P型区作为P阱引出端；所述P阱上的重掺杂N型区、右N阱上的重掺杂N型区分别作为NLDMOS器件的源区、漏区引出端；所述左N阱、右N阱的N型掺杂浓度，大于N型深阱的N型掺杂浓度，并且小于重掺杂N型区的N型掺杂浓度；所述P阱的P型掺杂浓度，大于P型硅衬底的P型掺杂浓度，并且小于重掺杂P型区的P型掺杂浓度。