[发明专利]一种粗调和细调相结合的环形压控振荡器电路在审
申请号: | 201410521369.7 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104300972A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 高海军;孙玲玲 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种粗调和细调相结合的环形压控振荡器电路。通过在环形压控振荡器中引入粗调,振荡器的频带被分成多个相互交叠的子频带,有效降低了覆盖特定频带所需的调谐增益,从而使环形压控振荡器对衬底噪声等环境噪声的敏感度大大降低。粗调采用延迟单元输出端并接开关电阻的方式来实现,通过开关电阻的接入或断开,输出端的RC时间常数发生相应改变;根据环形振荡器震荡频率与延迟单元输出端RC时间常数成反比的关系,震荡频率实现粗调。由于引入的电阻与标准数字集成工艺兼容,该环形压控振荡器也与标准数字集成电路工艺兼容。本发明的环形压控振荡器具有一种低调谐增益、宽频带输出且与标准数字集成电路工艺完全兼容的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 调和 调相 结合 环形 压控振荡器 电路 | ||
【主权项】:
一种粗调和细调相结合的环形压控振荡器电路,包括四级延迟单元,其特征在于:每级延迟单元包括四个NMOS管、四个PMOS管和一个开关电阻阵列; 所述的开关电阻阵列包括并联的多个开关单元,每个开关单元包括前开关电阻、后开关电阻和开关,前开关电阻的一端与开关的一端连接,后开关电阻的一端与开关的另一端连接;每个开关单元中的前开关电阻的另一端与第一NMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极、第一PMOS管的漏极、第三PMOS管的漏极连接,作为延迟单元的反相输出端;每个开关单元中的后开关电阻的另一端与第二NMOS管的漏极、第四NMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极、第四PMOS管的漏极连接,作为延迟单元的同相输出端;第一NMOS管的栅极作为延迟单元的第一同相输入端,第二NMOS管的栅极作为延迟单元的第一反相输入端;第一PMOS管的栅极作为延迟单元的第二反相输入端;第二PMOS管的栅极作为延迟单元的第二同相输入端;第三NMOS管的源极与第四PMOS管的栅极连接,第四NMOS管的源极与第三PMOS管的栅极连接;第三NMOS管的栅极和第四NMOS管的栅极连接,作为外部电压控制端;第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的源极连接外部电源电压VDD,第一NMOS管、第二NMOS管的源极接地。
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