[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410521672.7 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104835892B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 野津俊介 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供发光效率高且元件电阻低的半导体发光元件及其制造方法。由第一透明电极(TE1)和包含10重量％以下浓度金属原子的第二透明电极(TE2)构成透明电极(TE)。在俯视下与p侧焊盘电极pED重叠的区域设置第一透明电极(TE1)，在俯视下与p侧焊盘电极pED重叠的区域以外的区域设置第二透明电极(TE2)。第二透明电极(TE2)与p型接触层pCN的接触电阻低于第一透明电极(TE1)与p型接触层pCN的接触电阻，因此由p侧焊盘电极pED注入的电流向第二透明电极(TE2)扩散，从而高效地向在俯视下与p侧焊盘电极pED重叠的区域以外的区域的有源层AC注入，因此发光效率提高。另外第二透明电极(TE2)与p型接触层pCN的接触电阻低因此元件电阻降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其具备：具有第一面、和与所述第一面相反一侧的第二面的基板，形成在所述基板的所述第一面上的半导体层，形成在所述半导体层的第一区域上的第一透明电极，形成在所述半导体层的所述第一区域以外的第二区域上、且包含金属原子的第二透明电极，形成在所述第一透明电极上、且与所述第一透明电极的一部分电连接的第一电极，和形成在所述基板的第二面上的第二电极，所述第二透明电极与所述半导体层的接触电阻为1×10‑4Ω·cm2以下。
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