[发明专利]集成电路和制造集成电路的方法有效
| 申请号： | 201410522609.5 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104518010B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | M·H·菲勒梅耶;A·梅瑟;T·施勒塞尔;F·希尔勒;M·珀尔齐尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路及制造集成电路的方法，该集成电路包括在具有主表面的半导体衬底中的晶体管。晶体管包括源极区域、漏极区域、沟道区域、漂移区、栅极电极以及邻近于栅极电极的栅极电介质。栅极电极被设置为邻近于沟道区域的至少两侧。沟道区域和漂移区沿着平行于主表面的第一方向被设置在源极区域与漏极区域之间。栅极电介质具有在栅极电极的不同位置处变化的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括在具有主表面的半导体衬底中的晶体管，所述晶体管包括：源极区域；漏极区域；沟道区域；漂移区；栅极电极；以及邻近于所述栅极电极的栅极电介质，其中所述栅极电极被设置为邻近于所述沟道区域的至少两侧，所述沟道区域和所述漂移区沿着平行于所述主表面的第一方向被设置在所述源极区域与所述漏极区域之间，并且所述栅极电介质具有在所述栅极电极的不同位置处变化的厚度，所述厚度在所述栅极电极与邻近的半导体材料之间在水平方向上被测量，其中所述栅极电介质的所述厚度在所述栅极电极的邻近于所述漂移区的部分处比在邻近于所述沟道区域的部分处大，其中所述栅极电极不延伸至较厚的所述栅极电介质的部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410522609.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
