[发明专利]一种固态盘闪存芯片阈值电压感知方法及系统

摘要

本发明公开了一种固态盘内部闪存芯片阈值电压感知优化方法，主要用于多层单元闪存芯片使用低密度奇偶校验码纠错时的一种优化方法。该系统结构主要由LDPC编码模块、闪存芯片存储模块、非均匀阈值电压感知模块、对数似然比计算模块和LDPC译码模块组成。LDPC编码模块主要对原始数据利用LDPC生成矩阵编码生成码字；闪存芯片存储模块主要存储数据；非均匀阈值电压感知模块主要对闪存芯片进行非均匀阈值电压感知；对数似然比计算模块主要由阈值电压值得到对数似然比值；LDPC译码模块主要根据对数似然比值和校验矩阵进行解码纠错。本发明适用于固态盘纠错领域，提高存储数据的可靠性。

主权项

一种固态盘闪存芯片阈值电压感知方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)数据输入步骤，包括如下子步骤：(1.1)当原始数据R被写入闪存芯片时，根据低密度奇偶校验码LDPC生成矩阵G对原始数据R进行编码，生成码字C；(1.2)将生成的码字C写入闪存芯片中；(2)数据输出步骤，包括如下子步骤：(2.1)计算出阈值电压交叉区域的左分界线和右分界线然后求得两分界线之间的距离为其中i＝0，1，2；(2.2)对闪存芯片的阈值电压进行非均匀感知：(2.2.1)根据要求精度确定每个阈值电压交叉区域内感知次数n；(2.2.2)根据感知次数n确定每个阈值电压交叉区域的左、右半区域的感知次数(2.2.3)根据每个阈值电压交叉区域的左、右半区域的感知次数m计算左、右半区域中需要感知电压的位置；(2.2.4)根据得到的感知电压位置读取阈值电压；(2.3)根据非均匀感知的阈值电压计算对数似然比LLR；(2.4)根据LLR及LDPC校验矩阵Q对步骤(1)中写入闪存芯片的码字C进行解码纠错。