[发明专利]半导体芯片及包括该半导体芯片的半导体集成电路无效
| 申请号： | 201410525755.3 | 申请日： | 2014-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN104517636A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 边相镇;高在范;辛尚勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体芯片，其包括适于产生具有预定电平的内电压的内电压产生电路，适于采用所述内电压执行预定操作的目标内部电路，以及控制电路，所述控制电路适于基于由所述目标内部电路产生的操作结果信号检测所述目标内部电路的操作速度，并基于检测到的操作速度产生控制信号，其中用于目标内部电路的内电压的电压电平基于所述控制信号进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 包括 集成电路 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，其包括：内电压产生电路，其适于产生具有预定电平的内电压；目标内部电路，其适于采用所述内电压执行预定操作；以及控制电路，其适于基于由所述目标内部电路产生的操作结果信号检测所述目标内部电路的操作速度，并基于所检测到的操作速度产生控制信号；其中用于所述目标内部电路的内电压的电压电平基于所述控制信号进行控制。
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