[发明专利]AMOLED器件及制备方法在审
| 申请号： | 201410531280.9 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104347820A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 何剑;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市仲*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AMOLED器件制备方法。所述方法包括：形成聚合物基板；在所述聚合物基板上制作基板阻障层，所述基板阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层；在所述基板阻障层上制作薄膜晶体管阵列以及有机发光功能材料层，并进行阴极蒸镀形成阴极；在所述阴极上制作封装阻障层，所述封装阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层。本发明还相应公开了一种AMOLED器件。应用本发明技术方案，能够满足AMOLED器件的高柔性要求。 | ||
| 搜索关键词： | amoled 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种AMOLED器件制备方法，其特征在于，所述方法包括：形成聚合物基板；在所述聚合物基板上制作基板阻障层，所述基板阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层；在所述基板阻障层上制作薄膜晶体管阵列以及有机发光功能材料层，并进行阴极蒸镀形成阴极；在所述阴极上制作封装阻障层，所述封装阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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