[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制造方法包括如下步骤：在半导体衬底上形成栅氧化材料层、浮栅材料层、栅间介电材料层、控制栅材料层和硬掩膜材料层；刻蚀以形成包括栅极硬掩膜、控制栅和栅间介电层的控制栅叠层结构；形成覆盖控制栅叠层结构的顶面和侧壁以及浮栅材料层的介电材料层，刻蚀以形成位于控制栅叠层结构两侧的附加侧壁层；刻蚀以形成包括浮栅和栅氧化层的浮栅叠层结构。该方法可以保证控制栅由于附加侧壁层的保护而在后续形成接触孔的过程中不会被暴露出，因而可以降低接触孔与控制栅发生短路的风险。本发明的电子装置包括根据上述方法制得的半导体器件，同样具有上述优点。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在半导体衬底上依次形成栅氧化材料层、浮栅材料层、栅间介电材料层、控制栅材料层和硬掩膜材料层；步骤S102：对所述硬掩膜材料层、所述控制栅材料层以及所述栅间介电材料层进行刻蚀，以形成包括栅极硬掩膜、控制栅和栅间介电层的控制栅叠层结构；步骤S103：形成覆盖所述控制栅叠层结构的顶面和侧壁以及所述浮栅材料层的介电材料层，对所述介电材料层进行刻蚀以形成位于所述控制栅叠层结构两侧的附加侧壁层，所述附加侧壁层用于在形成接触孔的过程中保护所述控制栅叠层结构；步骤S104：对所述浮栅材料层和所述栅氧化材料层进行刻蚀，以形成包括浮栅和栅氧化层的浮栅叠层结构，其中所述浮栅叠层结构延伸至所述附加侧壁层的下方；步骤S105：形成位于所述附加侧壁层的外侧且覆盖所述浮栅叠层结构的侧壁的栅极侧壁层。