[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410535204.5 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN105576008B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;石金成;文燕;王焜;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：第一导电类型的衬底、位于所述衬底表层的第二导电类型的第一掺杂区、位于所述第一掺杂区中的第一导电类型的若干个第二掺杂区、以及位于所述衬底表层的第一导电类型的第三掺杂区；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；所述第三掺杂区位于所述器件的低压端，所述第一掺杂区从所述第三掺杂区靠近所述高压端的一侧起延伸至所述高压端，所述第二掺杂区位于所述器件的高压端。通过本发明提供的半导体器件，无需通过降低第一掺杂区的掺杂浓度提高器件反向特性，在提高器件耐压特性的基础上，保证器件的导通电阻不会变大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底(1)、位于所述衬底(1)表层的第二导电类型的第一掺杂区(2)、位于所述第一掺杂区(2)中的第一导电类型的若干个第二掺杂区(3)、以及位于所述衬底(1)表层的第一导电类型的第三掺杂区(4)；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；所述第三掺杂区(4)位于所述器件的低压端，所述第一掺杂区(2)从所述第三掺杂区(4)靠近高压端的一侧起延伸至所述高压端，所述第二掺杂区(3)位于所述器件的高压端；所述器件还包括：位于所述半导体衬底(1)和所述第一掺杂区(2)交界区域的第一导电类型的若干个第四掺杂区(5)；位于所述衬底(1)表面上的场氧化层(6)，所述场氧化层(6)位于所述高压端和所述低压端之间；所述第四掺杂区(5)的分布密度从所述低压端的区域向所述高压端的区域递减；所述第四掺杂区(5)呈岛状分布；有至少一个所述第二掺杂区(3)位于所述场氧化层(6)靠近所述高压端的边缘区域的下方。
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