[发明专利]热点定位方法在审
申请号: | 201410535267.0 | 申请日: | 2014-10-11 |
公开(公告)号: | CN105575867A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 殷原梓 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/66;G01R31/26 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了一种热点定位方法。该方法包括:步骤S1,将标记载体设置在晶片的背面;步骤S2,获取晶片的热点位置,在标记载体上设置与热点位置对应的定位标记;步骤S3,将晶片与标记载体分离;步骤S4,将标记载体设置在晶片的正面且定位标记与热点位置对应;以及步骤S5,以标记载体的热点标记为基准在晶片的正面设置热点标记。根据晶片背面的热点位置在标记载体上设置对应的定位标记,然后将标记载体转移至晶片的正面,以标记载体上的定位标记为基准,在晶片的正面设置热点标记,利用设置在晶片上的热点标记即可准确获取热点位置,解决了现有技术中无法精确定位热点的问题。 | ||
搜索关键词: | 热点 定位 方法 | ||
【主权项】:
一种热点定位方法,其特征在于,所述热点定位方法包括:步骤S1,将标记载体设置在晶片的背面;步骤S2,获取所述晶片的热点位置,在所述标记载体上设置与所述热点位置对应的定位标记;步骤S3,将所述晶片与所述标记载体分离;步骤S4,将所述标记载体设置在所述晶片的正面且所述定位标记与所述热点位置对应;以及步骤S5,以所述标记载体的定位标记为基准在所述正面设置热点标记。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造