[发明专利]一种掩膜框架、掩膜板及其制作方法有效
| 申请号： | 201410540132.3 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN104298069A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 吴海东;金泰逵;白娟娟;马群 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/64 | 分类号： | G03F1/64 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掩膜框架、掩膜板及其制作方法，涉及掩膜板技术领域，解决了现有的掩膜条在掩膜板的不同位置处拉伸力不均的问题。一种掩膜框架，包括框架主体、弹性装置以及位于框架主体相对的两侧的两个固定部，每个所述固定部通过所述弹性装置与所述框架主体连接固定。本发明适用于掩膜板以及掩膜板的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 框架 掩膜板 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种掩膜框架，其特征在于，包括框架主体、弹性装置以及位于框架主体相对的两侧的两个固定部，每个所述固定部通过所述弹性装置与所述框架主体连接固定。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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