[发明专利]一种NAND闪存及制备方法

摘要

本发明提供了一种基于Gate Last金属栅工艺的二维NAND型闪存，采用金属栅工艺实现NAND单元的控制栅，而不是传统的多晶硅环绕控制栅，可以实现与高介电常数金属栅先进CMOS工艺的集成，与目前主流的Gate Last CMOS工艺兼容，克服了目前NAND闪存工艺无法与先进标准逻辑工艺兼容的问题。同时提出了如何在高介电常数金属栅先进CMOS工艺中实现高压DMOS器件的方法，以实现NAND闪存的擦写操作。

主权项

一种NAND闪存制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一设置有隔离区和有源区的衬底，所述衬底中定义有CMOS电路区和存储单元阵列区；在所述衬底的上表面依次沉积一介电层和第一栅极材料层，刻蚀所述第一栅极材料层形成浮栅，且位于所述储存单元区之上的浮栅位于相邻所述隔离区之间的衬底之上；制备第一绝缘材料层覆盖在所述浮栅的上表面，且该第一绝缘材料层覆盖在存储单元阵列区之上的浮栅之间的介电层上表面；制备一牺牲栅极覆盖在第一绝缘材料层的上表面，且位于存储单元阵列区中的牺牲栅极同时将底部两侧浮栅的中间区域进行覆盖；于所述CMOS电路区的衬底中形成源/漏极；沉积第二绝缘材料层并抛光至牺牲栅极的上表面，移除所述牺牲栅极；移除位于所述CMOS电路区中的第一绝缘材料层及浮栅；沉积第二栅极材料层并抛光至所述第二绝缘材料层的上表面形成控制栅；形成金属互联结构。