[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410554589.X | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105565253B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 郑超;王伟;刘炼;李卫刚;许继辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有光刻胶层；步骤S2：选用修正的光罩对所述光刻胶层进行曝光显影，以在所述光刻胶层中形成图案，其中所述修正的光罩能够补偿曝光显影后所述光刻胶层发生倾斜而引起的图案变形；步骤S3：以所述光刻胶层为掩膜深度蚀刻所述MEMS晶圆，以将所述图案转移至所述MEMS晶圆中。本发明的优点在于：1,不用增加额外的掩膜或工艺(Mask/Process)，成本低廉。2,通过目前图层(Layer)图形的改变，来改善MEMS图形的定义。3,改进了MEMS产品的性能，提高了良率(Yield)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有光刻胶层；步骤S2：选用修正的光罩对所述光刻胶层进行曝光显影，以在所述光刻胶层中形成图案，其中所述修正的光罩能够补偿曝光显影后所述光刻胶层发生倾斜而引起的图案变形，以保证在所述光刻胶层发生倾斜后得到正常的图案；步骤S3：以所述光刻胶层为掩膜深度蚀刻所述MEMS晶圆，以将所述图案转移至所述MEMS晶圆中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410554589.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件的制作方法
- 下一篇：用于输送流体的过渡设备
