[发明专利]一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法

摘要

本发明提供一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成硬掩膜层，硬掩膜层具有第一图形；接着在硬掩膜层上涂布光刻平坦化层，并对硬掩膜层刻蚀以形成第二图形；再接着去除光刻平坦化层，并在硬掩膜层的侧壁形成侧墙；然后以侧墙为掩膜，对半导体衬底进行第一刻蚀，以形成由上往下逐渐变窄的沟槽；随后，在沟槽内填入二氧化硅，而后去除沟槽内的部分二氧化硅，并保留部分高度的二氧化硅；最后，去除侧墙，以硬掩膜层为掩膜对沟槽进行第二刻蚀并去除所述硬掩膜层，以得到鳍式场效应晶体管的鳍部。本发明使得沟槽之间形成的鳍部的高度易于控制；同时，通过双重曝光工艺形成硬掩膜层，缩小了鳍部之间的距离，提高了器件的集成度。

主权项

一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：在半导体衬底上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层具有第一图形；步骤S02：在所述硬掩膜层上涂布光刻平坦化层，对所述光刻平坦化层以及硬掩膜层进行刻蚀，以使所述硬掩膜层具有第二图形；步骤S03：去除所述光刻平坦化层，并在所述硬掩膜层的侧壁形成侧墙；步骤S04：以所述侧墙为掩膜，对所述半导体衬底进行第一刻蚀，以形成由上往下逐渐变窄的沟槽；步骤S05：在所述沟槽内填入二氧化硅，而后去除沟槽内的部分二氧化硅，并保留部分高度的二氧化硅；步骤S06：去除所述侧墙，以所述硬掩膜层为掩膜对所述沟槽进行第二刻蚀并去除所述硬掩膜层，以得到鳍式场效应晶体管的鳍部。