[发明专利]一种形成HARP层间介质层的方法有效
| 申请号： | 201410554779.1 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105514021B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 肖莉红;徐建华;齐金和;周洁鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种形成HARP层间介质层的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有待填充的间隙；利用含硅前驱物和含氧前驱物通过HARP工艺在所述间隙中沉积第一HARP层间介质层；利用所述含氧前驱物的等离子体处理所述第一HARP层间介质层；多次重复所述步骤S2和S3，直至将所述间隙填满。本发明的形成HARP层间介质层的方法，通过多次沉积HARP层间介质层，并在每次沉积之后用含氧前驱物的等离子体进行处理，使得最终形成的HARP层间介质层更致密、硬度更高，从而使得所述HARP层间介质层在进行后续的CMP平坦化时不会产生凹陷缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 harp 介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成HARP层间介质层的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有待填充的间隙；步骤S2：利用含硅前驱物和含氧前驱物通过HARP工艺在所述间隙中沉积第一HARP层间介质层；步骤S3：利用所述含氧前驱物的等离子体处理所述第一HARP层间介质层，其中所述等离子体处理使所述第一HARP层间介质层的组成更均一，分子排列更整齐，从而使得所述第一HARP层间介质层更加致密、稳定、硬度更大；步骤S4：多次重复所述步骤S2和S3，直至将所述间隙填满。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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