[发明专利]晶体生长炉温场用氧化铝空心球砖的制备方法

摘要

本发明涉及晶体生长炉温场用氧化铝空心球砖的制备方法，属于晶体生长技术领域。其将氧化铝空心球、α-氧化铝微粉和黄糊精细粉充分混合，经过成型、干燥和烧成得到产品氧化铝空心球砖。本发明采用不同含量粒径的氧化铝空心球和不同含量粒径的α-氧化铝微粉充分混合，可形成均匀的保温结构，其热导率低、重烧线收缩率低、抗热震性好。本发明所用原材料仅为氧化铝，而黄糊精在高温烧制过程中，基本上会挥发掉，不会引入其他杂质，相较传统钨钼、氧化锆温场具有杂质少、密度低、热导率低、洁净环保、变形率低等特点。

主权项

晶体生长炉温场用氧化铝空心球砖的制备方法，其特征是按重量份计步骤为：（1）混料：取60‑70份的氧化铝空心球、25‑35份α‑氧化铝微粉，5‑15份黄糊精细粉，用混料机先将氧化铝空心球混合均匀，然后加入α‑氧化铝微粉和黄糊精细粉，干混4‑5min后采用喷淋法加入水，水和物料的比例为1:3‑5，湿混8‑10min；（2）成型：将步骤（1）所得混合物加入隔板模具中，采用震动加压法室温加压成型，成型压力10‑15MPa，振动频率4‑10次/s，脱模后得到氧化铝空心球砖初品；（3）干燥：将脱模后的氧化铝空心球砖初品经过100‑150℃下烘干35‑50h，去除其中的水分；（4）烧成：将干燥的氧化铝空心球砖初品装窑，装窑高度为0.3‑0.6m；首先用4‑6h升温至300‑450℃，然后恒温烧制1‑2h，然后用3‑4h升温至1000‑1100℃，最后用6‑9h升温至1750℃，恒温烧制5‑8h后停止加热，利用窑炉余温保持高温，并自然降温，即得氧化铝空心球砖。