[发明专利]开关电路和半导体模块有效

专利信息
申请号: 201410558842.9 申请日: 2014-10-20
公开(公告)号: CN104733809B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 岸本健 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01P1/15 分类号: H01P1/15;H03K17/693;H04B1/44
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 熊风
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种不易受到谐振频率的影响、且能够抑制隔离特性的变动的开关电路和半导体模块。开关电路(504)包括第1至第N+1输入输出端子(T1~T(N+1))、以及第1至第N FET(101~10N),其中,N为2以上的整数,在将源极端和漏极端中的某一端称为第1端,另一端称为第2端时,第1输入输出端子(T1)与第1至第N FET(101~10N)中所有的第1端电连接。对于1到N中各整数i,第iFET的第2端与第i+1输入输出端子电连接。对于1到N中至少任一个整数j,电感器分量和电阻分量以串联方式电连接而得到的电路以与第j FET并联的方式电连接在第j FET的第1端与第2端之间。
搜索关键词: 开关电路 半导体 模块
【主权项】:
1.一种高频模块,该高频模块包括:开关电路;具有与所述开关电路连接的输入端的低噪声放大器;具有与所述开关电路连接的输出端的功率放大器;以及开关元件,该开关元件对是否将所述低噪声放大器的所述输入端与所述低噪声放大器的输出端短接进行切换,其特征在于,所述开关电路包括:第1至第N+1输入输出端子;以及分别具有栅极端、源极端和漏极端的第1至第N场效应晶体管,其中,N为2以上的整数,在将所述源极端和所述漏极端中的某一个称为第1端,另一个称为第2端时,所述第1输入输出端子与所述第1至第N场效应晶体管中所有的所述第1端电连接,对于1到N中各整数i,第i场效应晶体管的所述第2端与第i+1输入输出端子电连接,对于1到N中至少任意一个整数j,电感器分量和电阻分量以串联方式电连接而成的电路以与第j场效应晶体管并联的方式电连接在第j场效应晶体管的所述第1端和所述第2端之间,所述低噪声放大器的所述输入端与所述第j场效应晶体管的所述第2端连接,所述功率放大器的所述输出端与所述第j+1场效应晶体管的所述第2端连接,在所述开关元件将所述低噪声放大器的所述输入端与所述低噪声放大器的所述输出端短接的情况下,从所述第j场效应晶体管的所述第2端输出的信号绕过所述低噪声放大器。
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