[发明专利]防止硅通深孔侧壁刻蚀的底部刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种防止硅通深孔侧壁刻蚀的底部刻蚀方法，在晶圆级芯片尺寸封装中进行深孔底部刻蚀之前，通过在晶圆的背面覆盖一层干膜，再通过光刻工艺，暴露出小孔孔底进行刻蚀，有效解决了晶圆级芯片尺寸封装中深孔侧壁被刻蚀，孔底有异物残留，表面材料被严重刻蚀的问题，简化了工艺，提高了产品的良率，同时，有效改善了产品的可靠性。

主权项

一种防止硅通深孔侧壁刻蚀的底部刻蚀方法，其特征在于：包括如下步骤：a、准备包含若干个芯片单元的晶圆，设该晶圆的功能面为正面，所述功能面具有PIN脚(3)和晶圆氧化层(2)；b、对晶圆背面的硅基板(1)进行减薄；c、在晶圆背面的硅基板上覆盖一层钝化层(4)，并在该钝化层上形成与功能面内的PIN脚位置对应的第一开口；d、在晶圆背面的硅基板上的第一开口位置刻蚀形成深径比大于等于2：1的深孔(7)，并使深孔的孔底暴露出晶圆正面的晶圆氧化层；e、在钝化层表面和深孔内覆盖一层绝缘层(5)；f、在步骤e后的深孔外的绝缘层的表面上覆盖一层干膜(6)；g、在步骤f后的干膜上形成与深孔位置对应的第二开口(8)；h、刻蚀步骤g后的深孔孔底的绝缘层和晶圆氧化层，并暴露出PIN脚；i、去除步骤h后的干膜；j、在步骤i后的绝缘层表面和深孔内依次覆盖金属线路层(10)和用于保护金属线路层的保护层(11)；k、在步骤j后的保护层上开口，并在开口后的金属线路层上植球，形成焊料凸点(12)；l、切割步骤k后晶圆，形成单颗封装芯片。