[发明专利]防尘薄膜组件有效
申请号: | 201410562748.0 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN104570590B | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 关原一敏 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;王博 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的,是提供一种利用减小了宽度的框架来确保更大的曝光面积,并且在防尘薄膜组件的制作、运输过程中不发生框架的变形及起皱问题,从而能够以所期望的尺寸精度将防尘薄膜粘贴于光掩模上的防尘薄膜组件。本发明的防尘薄膜组件的特征在于,其为至少一对边长是大于500mm的矩形的防尘薄膜组件,在至少一对相对边的以边长的40~80%的边中心为中心的区域,该框架的宽度通过使框架的内侧壁凹陷而变细,并且该变细的区域的框架宽度为3mm以上6mm以下。 | ||
搜索关键词: | 防尘 薄膜 组件 | ||
【主权项】:
1.一种防尘薄膜组件,其为至少一对边长是大于500mm的矩形的防尘薄膜组件,其特征在于:仅在一个方向的一对相对边的以边中心为中心的边长的40~80%的区域,该防尘薄膜组件的框架的宽度通过使框架的内侧壁凹陷而变细,并且该变细的区域的框架宽度为从3mm以上6mm以下选择的一定值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社,未经信越化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410562748.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于大面积多台阶二元光学元件的激光直写方法
- 下一篇:投影机
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备