[发明专利]共模滤波器及其制造方法有效
申请号: | 201410563013.X | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN105047358B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 张建世;梁珍赫;赵廷珉 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F27/28;H01F41/04 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金光军;孙丽妍 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种共模滤波器及用于制造该共模滤波器的方法。根据本发明的实施例的共模滤波器包括:磁性基板;第一线圈电极,该第一线圈电极形成在该磁性基板上;第一铅电极,该第一铅电极形成在该磁性基板上;第一介电层,该第一介电层形成在该磁性基板上;高度补偿电极,该高度补偿电极形成在该第一铅电极的上表面上;第二线圈电极,该第二线圈电极形成在该第一介电层上;第二铅电极,该第二铅电极形成在该第一介电层上;第二介电层,该第二介电层形成在第一介电层上;以及外部电极,该外部电极形成在该第二介电层上。 | ||
搜索关键词: | 介电层 铅电极 共模滤波器 磁性基板 线圈电极 高度补偿 外部电极 电极形成 上表面 电极 制造 | ||
【主权项】:
1.一种共模滤波器,包括:磁性基板;第一线圈电极,所述第一线圈电极形成在所述磁性基板上;第一铅电极,所述第一铅电极形成在所述磁性基板上以与所述第一线圈电极的端部连接;第一介电层,所述第一介电层形成在所述磁性基板上以覆盖所述第一线圈电极的上表面和所述第一铅电极的上表面;高度补偿电极,所述高度补偿电极形成在所述第一铅电极的上表面上,以便补偿所述第一介电层与所述第一铅电极之间的高度差;第二线圈电极,所述第二线圈电极形成在所述第一介电层上以与所述第一线圈电极电连接;第二铅电极,所述第二铅电极形成在所述第一介电层上以与所述第二线圈电极的端部连接并与所述高度补偿电极的上表面接触;第二介电层,所述第二介电层形成在所述第一介电层上以覆盖所述第二线圈电极的上表面和所述第二铅电极的上表面;以及外部电极,所述外部电极形成在所述第二介电层上以与所述第二铅电极电连接,其中,所述第二铅电极定位在比所述第一铅电极更内部的位置处。
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