[发明专利]半导体器件的制造方法及实现该方法的计算系统有效

专利信息
申请号: 201410564455.6 申请日: 2014-10-21
公开(公告)号: CN104576540B 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 金伦楷;尹钟植;李化成;金柄成 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L21/02;H01L21/027
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 弋桂芬
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了制造半导体器件的方法和用于实现该方法的计算系统。制造半导体器件的方法包括:形成靶层;在靶层上形成第一掩模以暴露第一区;随后在靶层上形成第二掩模以暴露在第一方向上与第一区分开的第二区;随后在暴露的第一区中形成第三掩模以将第一区分为在交叉第一方向的第二方向上彼此分开的第一子区和第二子区;和使用第一至第三掩模蚀刻靶层,使得第一子区和第二子区以及第二区被限定在靶层中。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法 实现 计算 系统
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,该方法包括:形成靶层;在所述靶层上形成第一掩模以暴露第一区;随后在所述靶层上形成第二掩模以暴露在第一方向上与所述第一区分开的第二区;随后在暴露的第一区中形成第三掩模以将所述第一区分为在交叉所述第一方向的第二方向上彼此分开的第一子区和第二子区;和使用所述第一至第三掩模蚀刻所述靶层,使得所述第一子区和所述第二子区以及所述第二区被限定在所述靶层中。
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