[发明专利]半导体器件的制造方法及实现该方法的计算系统有效
申请号: | 201410564455.6 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN104576540B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 金伦楷;尹钟植;李化成;金柄成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/02;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了制造半导体器件的方法和用于实现该方法的计算系统。制造半导体器件的方法包括:形成靶层;在靶层上形成第一掩模以暴露第一区;随后在靶层上形成第二掩模以暴露在第一方向上与第一区分开的第二区;随后在暴露的第一区中形成第三掩模以将第一区分为在交叉第一方向的第二方向上彼此分开的第一子区和第二子区;和使用第一至第三掩模蚀刻靶层,使得第一子区和第二子区以及第二区被限定在靶层中。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 实现 计算 系统 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,该方法包括:形成靶层;在所述靶层上形成第一掩模以暴露第一区;随后在所述靶层上形成第二掩模以暴露在第一方向上与所述第一区分开的第二区;随后在暴露的第一区中形成第三掩模以将所述第一区分为在交叉所述第一方向的第二方向上彼此分开的第一子区和第二子区;和使用所述第一至第三掩模蚀刻所述靶层,使得所述第一子区和所述第二子区以及所述第二区被限定在所述靶层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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