[发明专利]提高并联功率MOSFET均流性能的方法及其实现装置

摘要

本发明属于电源技术领域，具体涉及一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法及其实现装置，目的在于解决现有MOSFET电路各支路因参数不一致等问题造成的电流过大而烧坏器件的问题。该方法包括计算需并联的串联电路的路数、各并联支路增加MOSFET使所有MOSFET构成串流关系和使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET三个步骤。该方法能够在定性的基础上即可解决并联功率MOSFET由于参数不一致而造成的分流不均从而烧坏器件的问题。不必再采取要求极为苛刻且可操作性较差的措施来保证均流。该方法原理简单，操作方便，工艺稳定，重现性好。具有适应各类型需采用并联功率MOSFET均流的场合的特色，且适应于工业化规模生产。

主权项

一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法，包括如下步骤：第一步：计算需并联的串联电路的路数；第二步：各并联支路增加MOSFET使所有MOSFET构成串流关系；第三步：使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET。