[发明专利]一种FINFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410573220.3 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105590961B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘云飞;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种FINFET的制造方法，包括：a.提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍片；b.在所述鳍片上方形成伪栅叠层，并在伪栅叠层两侧形成第一侧墙；c.在所述伪栅叠层两侧的鳍片中形成横向源漏扩展区；d.在所述伪栅叠层两侧的鳍片中形成纵向源漏扩展区；e.在所述伪栅叠层两侧形成第二侧墙，在所述第二侧墙两侧的鳍片中形成源漏区；f.在所述鳍片周围的半导体衬底上方形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构包围所述鳍片的下半部分；在所述浅沟槽隔离结构上方形成层间介质层，其顶部与所述伪栅叠层顶部平齐；去除伪栅叠层并形成栅极空位，在所述栅极空位中形成栅极叠层。本发明极大地降低了漏端电场强度，有效增加了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FINFET的制造方法，包括：a.提供半导体衬底(100)，在所述半导体衬底(100)上形成鳍片(200)；b.在所述鳍片(200)上方形成伪栅叠层(300)，并在伪栅叠层(300)两侧形成第一侧墙(301)；c.在所述伪栅叠层(300)两侧的鳍片(200)中形成横向源漏扩展区(210)；d.在所述伪栅叠层(300)两侧的鳍片(200)中形成纵向源漏扩展区(220)；e.在所述伪栅叠层(300)两侧形成第二侧墙(302)，在所述第二侧墙(302)两侧的鳍片(200)中形成源漏区；f.在所述鳍片(200)周围的半导体衬底(100)上方形成浅沟槽隔离结构(400)，所述浅沟槽隔离结构(400)包围所述鳍片(200)的下半部分；在所述浅沟槽隔离结构(400)上方形成层间介质层(500)，所述层间介质层(500)顶部与所述伪栅叠层(300)顶部平齐；去除伪栅叠层(300)并形成栅极空位，在所述栅极空位中形成栅极叠层(600)。
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