[发明专利]一种单层荧光纳米二硫化钼的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410574973.6 申请日: 2014-10-23
公开(公告)号: CN104402051A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 张学记;代文浩;孟祥丹;何柄谕;董海峰 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C01G39/06 分类号: C01G39/06;C09K11/68;B82Y30/00
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及的是一种简单“绿色”的方法合成单层荧光纳米二硫化钼,属于生物医药领域。其特征是通过溶剂将粒径为微米级别的二硫化钼粉末分散,借助于超声的手段,使二硫化钼粉末分层断裂,接着离心、真空干燥、纯化从而制得纳米二硫化钼,为了增加纳米二硫化钼的溶解性,在溶剂中加入氢氧化钠。制得的纳米二硫化钼材料单层率好,荧光稳定性好,量子产率高。本方法不产生对环境有害的物质,合成过程简单,制备得到的荧光纳米二硫化钼,与其它纳米载体相比,它的优点有:载药量大、毒性小、细胞中示踪,受外界干扰小等。由于其较高的比表面积和自身的荧光,可以广泛的应用于生物医药领域。
搜索关键词: 一种 单层 荧光 纳米 二硫化钼 制备 方法
【主权项】:
一种单层荧光纳米二硫化钼材料,其特征在于以微米级别的二硫化钼粉末为原料,液相超声法得到荧光纳米二硫化钼,粒径大小为30‑40nm,荧光发射峰在450‑550nm范围内,其中最大荧光发射峰在470nm处。
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