[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410577594.2 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN105280724B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 堀阳一;野田隆夫;大田刚志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种抑制阳极电极与二极管的密接力下降、抑制二极管的浪涌耐受量下降的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设在上述第1电极与上述第2电极之间，与上述第1电极接触；第2导电型的第2半导体区域，有选择地设在上述第1半导体区域与上述第2电极之间；接触区域，设在上述第2半导体区域与上述第2电极之间，与上述第2半导体区域及上述第2电极接触；多个第2导电型的第3半导体区域，设在上述第2电极与上述第1半导体区域之间，与上述第2电极接触；以及配线，与上述第2电极接触，与上述第2电极的接合部分位于上述第3半导体区域的上方，不位于上述接触区域的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体区域 电极 电极接触 半导体装置 导电型 接触区域 抑制二极管 阳极电极 二极管 接合部 密接力 浪涌 耐受 配线 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设在上述第1电极与上述第2电极之间，与上述第1电极接触；第2导电型的第2半导体区域，有选择地设在上述第1半导体区域与上述第2电极之间；硅化物区域，设在上述第2半导体区域与上述第2电极之间，与上述第2半导体区域及上述第2电极接触；多个第2导电型的第3半导体区域，设在上述第2电极与上述第1半导体区域之间，与上述第2电极接触；配线，与上述第2电极接触，与上述第2电极的接合部分位于上述第3半导体区域的上方，不位于上述硅化物区域的上方。
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