[发明专利]基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器

摘要

本发明公开了一种基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器，它的编程和擦除操作均利用FN隧穿效应完成，解决功耗高的问题，缩小了面积，包括多个存储单元，每个存储单元由模块A和模块B组成，模块A由第一增压管AM1、第二增压管AM2、第一充电管AM3、第二充电管AM4四个晶体管构成。模块B由控制管BM1、隧穿管BM2、第一读取管BM3、第二读取管BM4、第一选择管BM5和第二选择管BM6构成。所有的晶体管均为单多晶硅栅结构和相同厚度的栅氧化层，该存储单元与标准CMOS工艺兼容；本发明降低应用成本，减少技术开发周期，读取速度比较快，可靠性高。

主权项

一种基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器，包括多个存储单元，每个存储单元由模块A和模块B组成，模块A由第一增压管AM1、第二增压管AM2、第一充电管AM3、第二充电管AM4四个晶体管构成；其中，第一增压管AM1和第二增压管AM2是被连接成的电容形式的器件，第一增压管的源极A04、漏极A05与第四N阱NW4相连构成第三端口P3；第二增压管AM2的源极A10、漏极A11与第五N阱NW5相连构成第六端口P6；第一充电管AM3的源极A02与第一增压管的栅极A06相连构成端口AL1，第一充电管AM3的栅极A03引出作为第二端口P2，第一充电管AM3的漏极A01引出作为第一端口P1；第二充电管AM4的源极A08与第二增压管的栅极A12相连构成端口AL2，第二充电管AM4的栅极A09引出作为第五端口P5，第二充电管AM4的漏极A07引出作为第四端口P4；模块B由控制管BM1、隧穿管BM2、第一读取管BM3、第二读取管BM4、第一选择管BM5和第二选择管BM6构成；其中，控制管BM1与隧穿管BM2与模块A中的第一增压管AM1、第二增压管AM2类似，被连接成电容形式的器件；控制管BM1的源极B02、漏极B01、第一N阱NW1相连构成端口BL1；隧穿管BM2的源极B04、漏极B05、第二N阱NW2相连构成端口BL2；第一读取管BM3的源极B07与其所在的第三N阱NW3和第二读取管BM4的漏极B10相连后引出作为第七端口P7；控制管BM1的栅极B03、隧穿管BM2的栅极B06、第一读取管BM3的栅极B09、第二读取管BM4的栅极B12互连构成封闭的浮栅FG；第一选择管BM5的漏极B13与第一读取管BM3的漏极B08相连接，第二读取管BM4的源极与第二选择管BM6的漏极B16相连接，第一选择管BM5的栅极B15与第二选择管的栅极B18相连引出作为第八端口P8，第一选择管BM5的源极B14引出作为输出端口DO1，第二选择管BM6的源极B17引出作为输出端口DO0；端口BL1与端口AL1连接，端口BL2与端口AL2连接。