[发明专利]薄膜晶体管开关及其制备方法、阵列基板、显示面板在审
| 申请号： | 201410584222.2 | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN104391412A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 王武;邱海军;尚飞;王国磊 | 申请（专利权）人： | 重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 宋珊珊 |
| 地址： | 400714 重庆市北碚区*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开一种薄膜晶体管开关及其制备方法、阵列基板、显示面板，薄膜晶体管开关包括栅电极、栅电极绝缘层、有源层、源漏电极以及绝缘层，源漏电极包括第一电极和第二电极，绝缘层位于第一电极和第二电极之间；栅电极、栅电极绝缘层、有源层沿与阵列基板厚度方向垂直的方向排列；第一电极、绝缘层、第二电极位于有源层背离栅电极绝缘层的一侧，第一电极、绝缘层、第二电极沿阵列基板的厚度方向排列、且第二电极位于第一电极背离阵列基板衬底基板的一侧。沿栅电极、栅电极绝缘层以及有源层排列方向，上述薄膜晶体管的栅电极绝缘层、有源层、第二电极的宽度不受曝光机分辨率的影响可以做的较小，便于提高像素单元的开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 开关 及其 制备 方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的薄膜晶体管开关，包括栅电极、栅电极绝缘层、有源层、源漏电极以及绝缘层，其特征在于，所述源漏电极包括第一电极和第二电极，所述绝缘层位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述栅电极、栅电极绝缘层、有源层沿与所述阵列基板厚度方向垂直的方向依次排列；所述第一电极、绝缘层、第二电极位于所述有源层背离所述栅电极绝缘层的一侧，所述第一电极、绝缘层、第二电极沿所述阵列基板的厚度方向依次排列、且所述第二电极位于所述第一电极背离所述阵列基板衬底基板的一侧。
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