[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410585075.0 | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105633147A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 许高博;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;逢京喜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管，包括：衬底；衬底上的具有第一掺杂类型的漏区；漏区之上的沟道区；沟道区之上的具有第二掺杂类型的源区；衬底之上、与漏区侧壁相接的漏区连接区；所述源区、漏区及沟道区的侧壁上的栅介质层；栅介质层侧壁上的栅电极；栅电极与漏区连接区之间的绝缘层。该方法源区和漏区在衬底的垂直方向上形成，构成了垂直结构的隧穿场效应晶体管，其具有更小的器件尺寸，以满足器件尺寸不断减小的要求，提高集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；衬底上的具有第一掺杂类型的漏区；漏区之上的沟道区；沟道区之上的具有第二掺杂类型的源区；衬底之上、与漏区侧壁相接的漏区连接区；所述源区、漏区及沟道区的侧壁上的栅介质层；栅介质层侧壁上的栅电极；栅电极与漏区连接区之间的绝缘层。
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