[发明专利]一种掩模板在审
| 申请号： | 201410586860.8 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104407496A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 王德帅;王亮 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/54 | 分类号： | G03F1/54 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光刻技术领域，公开一种掩模板，该掩膜板包括透明基板，所述透明基板上设有半透膜层和挡光层以形成不透光区域、半透光区域和全透光区域，所述透明基板上还设有位于所述全透光区域周边的消光膜层、以减弱所述全透光区域周边透过的紫外光的强度。经过该掩膜板曝光形成的过孔的大小受过孔周边的光刻胶的厚度变化影响小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模板 | ||
【主权项】：
一种掩模板，包括透明基板，所述透明基板上设有半透膜层和挡光层以形成不透光区域、半透光区域和全透光区域，其特征在于，所述透明基板上还设有位于所述全透光区域周边的消光膜层、以减弱所述全透光区域周边透过的紫外光的强度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410586860.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种授时的方法和装置
- 下一篇：投影仪
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
