[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410587117.4 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105632907B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 金滕滕;杨勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供基底，在所述基底上依次形成粘附层和电极材料层；形成覆盖所述电极材料层的四周边缘的保护层；在暴露的所述电极材料层的表面上形成图案化的第一光阻层；以所述图案化的第一光阻层和所述保护层为掩膜，刻蚀所述电极材料层和粘附层，以形成电极；去除所述图案化的第一光阻层。根据本发明的制作方法，在湿法刻蚀过程中，避免了对于边缘的粘附层和电极材料层的刻蚀速率比中心的刻蚀速率高的问题的发生，故不会在晶圆的边缘产生薄弱点，导致电极剥离，进而提高了器件的良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供基底，在所述基底上依次形成粘附层和电极材料层，所述电极材料层的材料为金，所述粘附层的材料为Cr；形成覆盖所述电极材料层的四周边缘的保护层；在暴露的所述电极材料层的表面上形成图案化的第一光阻层；以所述图案化的第一光阻层和所述保护层为掩膜，刻蚀所述电极材料层和粘附层，以形成电极；去除所述图案化的第一光阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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