[发明专利]VNSAK多肽及其应用有效
申请号: | 201410594788.3 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN104341530A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 周亮高 | 申请(专利权)人: | 重庆沁涟生物医药科技股份有限公司 |
主分类号: | C07K19/00 | 分类号: | C07K19/00;C12N5/0784;A61K39/00;A61K35/15;A61P35/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅;何叶喧 |
地址: | 400015 重庆市渝*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明公开了VNSAK多肽及其应用。本发明提供了一种VNSAK多肽,自N端至C端依次包括抗原表位区段和内质网滞留基序区段;所述抗原表位区段包括SART3-109表位、HNRPL-501表位和NY-ESO-1表位;所述SART3-109表位如序列表的序列1自N末端第1至10位氨基酸残基所示,所述HNRPL-501表位如序列表的序列1自N末端第11至20位氨基酸残基所示,所述NY-ESO-1表位如序列表的序列1自N末端第21至29位氨基酸残基所示,所述内质网滞留基序区段如序列表的序列1自N末端第33至36位氨基酸残基所示。本发明还保护所述VNSAK多肽在制备肿瘤治疗药物中的应用。本发明对于肿瘤治疗具有重大价值。 | ||
搜索关键词: | vnsak 多肽 及其 应用 | ||
【主权项】:
VNSAK多肽,自N端至C端依次包括抗原表位区段和内质网滞留基序区段;所述抗原表位区段包括SART3‑109表位、HNRPL‑501表位和NY‑ESO‑1表位;所述SART3‑109表位如序列表的序列1自N末端第1至10位氨基酸残基所示,所述HNRPL‑501表位如序列表的序列1自N末端第11至20位氨基酸残基所示,所述NY‑ESO‑1表位如序列表的序列1自N末端第21至29位氨基酸残基所示,所述内质网滞留基序区段如序列表的序列1自N末端第33至36位氨基酸残基所示。
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