[发明专利]一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用有效
| 申请号： | 201410596631.4 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104611697A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 郭霞;范修军;李冲;董建;刘白;刘巧莉 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C30B28/14;B82Y40/00;B32B9/00;B32B15/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用，属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳化钨纳米晶体。先在硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，然后在单壁碳纳米管阵列蒸镀W，再生成碳化钨纳米即可。在酸碱性条件下均具有电催化析氢作用且性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单壁碳 纳米 垂直 阵列 碳化 晶体 复合材料 制备 及其 电催化 中的 应用 | ||
【主权项】：
碳纳米管垂直阵列‑碳化钨复合材料，其特征在于，底层为硅片，硅片上为垂直生长的单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳化钨纳米晶体。
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