[发明专利]一种用于平坦化浅沟槽隔离结构的方法在审
| 申请号： | 201410598312.7 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105632999A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李希 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于平坦化STI结构的方法，包括：提供晶圆，其中所述晶圆包括半导体衬底和在所述半导体衬底中形成的沟槽，所述半导体衬底上形成有硬掩膜层，并且所述硬掩膜层上和所述沟槽内形成有介电层；研磨所述介电层的一部分；对所述晶圆执行第一清洗步骤；以及研磨剩余的介电层和所述硬掩膜层的至少一部分。根据本方法，在研磨剩余的介电层和硬掩膜层的步骤之前，对晶圆进行清洗。可以减少晶圆本身带来的颗粒源，从而可以改善STI微划痕，进而改善半导体器件的良率，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 平坦 沟槽 隔离 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于平坦化浅沟槽隔离结构的方法，包括：提供晶圆，其中所述晶圆包括半导体衬底和在所述半导体衬底中形成的沟槽，所述半导体衬底上形成有硬掩膜层，并且所述硬掩膜层上和所述沟槽内形成有介电层；研磨所述介电层的一部分；对所述晶圆执行第一清洗步骤；以及研磨剩余的介电层和所述硬掩膜层的至少一部分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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