[发明专利]一种制备6N高纯铝的方法有效
| 申请号： | 201410599866.9 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104388697A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 詹科;曹昌威;种娜;杨旭 | 申请（专利权）人： | 峨嵋半导体材料研究所 |
| 主分类号： | C22B21/06 | 分类号： | C22B21/06;C22B9/04;C22B9/05 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 吕玲 |
| 地址： | 614200 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于材料制备领域，具体为真空挥发法和区域熔炼法制备6N高纯铝的方法。该方法为：将原料铝在真空煅烧炉中融化后进行真空挥发，控制挥发温度为800—850℃；在氩气保护下进行水平区域熔炼提纯，控制熔区宽度30—50mm；然后对铝锭的表面进行处理；最后将清洗后的铝锭装入石英舟，在真空煅烧炉中加热到450—550℃。本方法操作简单，使用设备简便，工艺成本低廉，可制备出6N高纯铝，填补国内6N高纯铝的空白。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高纯 方法 | ||
【主权项】：
一种制备6N高纯铝的方法，其特征在于包括以下步骤：将原料铝在真空煅烧炉中融化后进行真空挥发，控制挥发温度为800—850℃；在氩气保护下进行水平区域熔炼提纯，控制熔区宽度30—50mm；然后对铝锭的表面进行处理；最后将清洗后的铝锭装入石英舟，在真空煅烧炉中加热到450—550℃。
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