[发明专利]具有嵌入式ROM的SRAM

摘要

具有嵌入式ROM的SRAM。集成电路包括第一和第二存储单元，其包括分别具有耦合于相应第一和第二阱偏置电压的体结的第一上拉晶体管。第一和第二上拉晶体管的漏极分别耦合于第一真实位线和第一互补位线。第二存储单元包括第一和第二上拉晶体管，每个第一和第二上拉晶体管具有分别耦合于第二和第一阱偏置电压的体结。所述第一和第二上拉晶体管的漏极分别耦合于第二真实位线和第二互补位线。在只读存储器(ROM)模式期间，所述第一阱偏置电压低于所述第二阱偏置电压，并且在静态随机存取存储器(SRAM)模式期间，所述第一阱偏置电压等于所述第二阱偏置电压。

主权项

1.一种集成电路，包括存储单元阵列，存储单元阵列包括第一存储单元，所述第一存储单元包括：第一和第二传输晶体管，第一和第二传输晶体管分别包括连接到字线的栅极；第一反相器，其包括：第一上拉晶体管，第一上拉晶体管包括连接到第一电压电源的源极和连接到第一阱偏置电压的体结；以及所述第一反相器的输出通过所述第一传输晶体管耦合于第一互补位线；以及第二反相器，其包括：第二上拉晶体管，第二上拉晶体管包括连接到所述第一电压电源的源极和连接到第二阱偏置电压的体结，当只读存储器使能信号被设置为第一状态时所述第一阱偏置电压大于所述第二阱偏置电压，以及所述第二反相器的输出通过所述第二传输晶体管耦合于第一真实位线。