[发明专利]提高NAND闪存的稳定性的方法和NAND闪存在审
| 申请号： | 201410608566.2 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104461379A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 杨艳伟;罗新法 | 申请（专利权）人： | 上海华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G11C29/42 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 王仲凯 |
| 地址： | 200121 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种提高NAND闪存的稳定性的方法和NAND闪存。本发明实施例方法包括：确定对NAND闪存的访问操作；当所述访问操作为读操作时，判断所述读操作的对象页的ECC错误比特是否可纠正，若否，则记录所述读操作的对象页处于老化状态；当所述访问操作为擦除操作时，判断所述擦除操作的对象块中是否包含处于老化状态的页，若是，则停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。本发明实施例能够解决NAND反复写入/擦除导致数据存储不可靠的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 nand 闪存 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高NAND闪存的稳定性的方法，其特征在于，包括：确定对NAND闪存的访问操作；当所述访问操作为读操作时，判断所述读操作的对象页的错误检查和纠正编码(ECC)错误比特是否可纠正，若否，则记录所述读操作的对象页处于老化状态；当所述访问操作为擦除操作时，判断所述擦除操作的对象块中是否包含处于老化状态的页，若是，则停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。
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